报告题目：基于原位激光干涉技术的纳米级耗散过程调控

报 告 人：金潮渊 研究员

报告时间：2021年11月25日上午10:30-11:30

报告地点：苏州大学本部院士楼311会议室

报告邀请人：彭长四 教授


报告摘要：

      原位激光干涉提供了一种可灵活设置空间周期性的耗散过程调控手段。我们把这种技术同分子束外延（MBE）相结合，实现了单量子点阵列的非侵入式外延生长。在材料生长过程中，我们将纳秒脉冲激光引入MBE生长室，在样品表面形成瞬时的温度梯度，引导附加原子在表面的迁移和成核，在百平方微米的面积上演示了高度有序的密集量子点阵列。在器件应用方面，我们研究了原位激光干涉对光子晶体微腔激光器中布洛赫模式的选模调控，以及片上干涉技术应用于半导体微腔真空场的瞬时调制，实现了新型功能的激光器和单光子源。


报告人简介：

       金潮渊，浙江大学信息与电子工程学院“百人计划”研究员，博士生导师。主要研究方向是基于半导体量子点材料的集成光子器件，包括激光器、光开关、单光子源、微波光子器件等。曾于2016入选国家青年项目，2017年获得日本学术振兴会桥梁学者等荣誉称号。