近期，威尼斯人 吴绍龙副教授与李孝峰教授合作在《Journal of Materials Chemistry A》（影响因子IF = 9.93）发表了题为“Modulating oxygen vacancies in Sn-doped hematite film grown on silicon microwires for photoelectrochemical water oxidation”的工作，并被该期刊选为当期封底。
该团队通过结合光刻与无电化学腐蚀硅技术制备出形貌和尺寸可控的硅微米线阵列，而后以其为基底利用热分解法生长氧化铁薄膜，成功构筑出核壳结构的硅/氧化铁微米线光阳极。进一步地在生长氧化铁薄膜过程中引入Sn掺杂和氧空位相对浓度的调节，揭示了该双吸收层光阳极用于光氧化水时内部的光生载流子分离和转移效率。通过该电学调控，使得器件在1.23 V vs. RHE时的光电流密度提高了250%、开启电压低至0.15 V vs. RHE。在无催化层和无溶液搅拌的性能测试条件下，本工作所报道的性能优于当前已报道的氧化铁光阳极体系。文章链接//pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2018/ta/c8ta03643h
图1：《J. Mater. Chem. A》封底, 硅/氧化铁光阳极的电流-电压特性(a)和载流子输运阻抗分析(b)。
吴绍龙博士2013年8月入职苏州大学以来，主要从事微纳结构的设计、制造及其光电转换性能等方向研究工作，与李孝峰教授合作完成了“光电学院•微纳光电转换技术实验室”从无至有的建设。目前，已以第一作者或通讯作者分别在Nano Energy（一区，IF=13.12）、J. Mater. Chem. A（一区，IF=9.93）、J. Power Sources（一区，IF=6.945）、ACS Appl. Mater. & Interfaces（一区，IF=8.097）、Appl. Phys. Lett.、Opt. Lett.等国际学术期刊发表了15篇相关研究成果，并与团队成员合作发表SCI期刊论文20余篇，申请10余项中国发明专利（已授权6项）。